絕緣擊穿電壓又可稱為介電強(qiáng)度，是電介質(zhì)材料的一個重要參數(shù)。聚合物基復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓一般用威布爾分布來表示并用于分析材料的可靠性。如圖2-14所示，為純的PVDF和不同填料含量下復(fù)合材料的威布爾分布圖?？梢钥闯?，隨著填料的加入，復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓整體上呈降低趨勢，例如，當(dāng)填料從0wt%增加至40wt%時，復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓從2686kV/cm降到1473kV/cm。這可能是由于填料加入對聚合物基體造成了一定的缺陷，而擊穿過程實際上電樹枝化發(fā)展的過程，缺陷的存在更容易在界面間產(chǎn)生漏電電流，使得擊穿過程加速(LuoSBetal,2017)。在低填料時，相應(yīng)的空間電荷和可移動的自由電子產(chǎn)生的相對較少，那么，產(chǎn)生的漏電電流較少，相應(yīng)的絕緣擊穿電壓不至于降低太多。隨著填料的增加，即使顆粒在聚合物基體中分散較好，但由于顆粒間距的減小，產(chǎn)生量子躍遷效應(yīng)，使得在界面積聚更多的電荷，漏電電流增加，大大降低復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓。雖然，介電強(qiáng)度有所降低，但復(fù)合材料整體的可靠性還是能夠保持在一定的水平，對此類的電介質(zhì)復(fù)合材料還是有一定的參考價值。

根據(jù)公式2-1和2-2，不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)下的復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓的Weibull分布如圖3-13所示，從圖中可以看到，純的PVDF的絕緣擊穿電壓為2686kV/cm，當(dāng)填料含量為1wt%時，復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓為2852kV/cm，提升了約7.7%，這可能是由于低含量下復(fù)合材料中聚合物基體占主導(dǎo)，填料中BT的加入在一定程度弱化了基體和多孔碳球的界面能，降低了復(fù)合材料的電導(dǎo)率，從而使得復(fù)合材料絕緣擊穿電壓有所上升，當(dāng)填料含量進(jìn)一步增加時，絕緣擊穿電壓由2852kV/cm迅速降低至340kV/cm，這主要源于，隨著填料的增加，復(fù)合材料中填料占主導(dǎo)，粗糙的顆粒表面及顆粒與基體之間的界面成為聚合物基復(fù)合材料內(nèi)部介電擊穿的薄弱區(qū)。在這種情況下，電樹枝生長直接發(fā)展成裂紋，產(chǎn)生漏電電流導(dǎo)致復(fù)合材料絕緣擊穿電壓降低，并且填料越多，絕緣擊穿電壓越低，當(dāng)填料含量增加至9wt%時，復(fù)合材料性質(zhì)發(fā)生了轉(zhuǎn)變，形成導(dǎo)電通路，變成導(dǎo)電體，絕緣擊穿電壓低。但從另一參數(shù)β來看，此復(fù)合材料中，填料的分布還是較均勻，沒有出現(xiàn)明顯的團(tuán)聚，只是在高含量9wt%時，復(fù)合材料的均勻性有所下降，可能是大量填料的加入出現(xiàn)了堆積現(xiàn)象，總的來說，復(fù)合材料的穩(wěn)定性還是比較高。

根據(jù)儲能密度公式可以知道，絕緣擊穿電壓對儲能密度的提升占據(jù)主要因素，因此對三層膜結(jié)構(gòu)復(fù)合材料的擊穿性能進(jìn)行測試，通過整理計算得出三層膜復(fù)合材料的雙參數(shù)威布爾分布圖，如圖4-6所示，從分布圖上可以看出，復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓有顯著提高，特別是1-0-1復(fù)合材料，可高達(dá)3635kV/cm，是純的PVDF的1.4倍，而3-0-3復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓略高于純的PVDF，是它的1.1倍，隨著填料的進(jìn)一步增加，大大破壞了外層中PVDF的連續(xù)結(jié)構(gòu)，即使中間層留有連續(xù)的PVDF，也不能大大延緩擊穿過程中電樹枝的生長，使得復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓越來越低，但整體下來，復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓仍能保持在1000kV/cm以上，與單層復(fù)合材料相比，三層膜結(jié)構(gòu)復(fù)合材料的絕緣擊穿電壓得到大大提升，說明此種結(jié)構(gòu)的設(shè)計是有助于復(fù)合材料絕緣擊穿電壓的提升。另外，從形狀因子來看，復(fù)合材料可靠性也有所提高，這可能要歸因于聚合物優(yōu)異的熱穩(wěn)定性及良好的加工性。